1. Next, the three reflectivity change measures are used to solve for each of three properties of the doped region, namely junction depth, doping concentration, and profile abruptness.

On utilise ensuite les trois relevés de changement de réflectivité pour définir chacune des trois propriétés de la région dopée, soit profondeur de la jonction, concentration du dopage et pente du profil. .

2. Doped cui scintillator

Scintillateur à cui dopé

3. All sample collection providers are required to carry out doping controls in accordance with the International Standards for Doping Control.

Il est exigé de toutes les organisations collectant les échantillons qu'elles réalisent des contrôles en conformité avec les Standards internationaux de contrôle.

4. Key words: blood doping, sport anemia, stroke volume

Mots-clés: dopage sanguin, anémie du sportif, volume d'éjection systolique

5. Selectively doping isolation trenches utilized in cmos devices

Tranchees d'isolation a dopage selectif utilisees dans les dispositifs cmos

6. Photodiode array having a charge-absorbing doped region

Matrice de photodiode a zone dopee absorbant les charges

7. Bi doped gasb alloy infrared semiconductor devices

Dispositifs semi-conducteurs infrarouges en alliage gasb dopé au bi

8. The doped matrix lattice has a strong crystal field and is doped with at least one chromophore of electron configuration (3d)?

Ledit réseau matrice possède un champ cristallin fort et est dopé à l'aide d'au moins un chomophore de configuration électronique (3d)?

9. Laser ablation of doped fluorocarbon materials and applications thereof

Ablation laser de matieres fluorocarbonees dopees et applications correspondantes

10. What contract?- I buy dope, you look after Dad

Je fournis la dope, tu t' occupes de mon père

11. Go beyond the poverty, the disease, the dope, the degeneracy.

Dépasser la pauvreté, la maladie, la drogue, la dégénérescence.

12. The helium ions generate acceptor-type states that lower effective n doping.

Les ions hélium créent des états du type accepteur qui abaissent le dopage n effectif.

13. Junction barrier schottky diode with highly-doped channel region and methods

Diode schottky à barrière de jonction avec une région de canal hautement dopée et procédés apparentés

14. ADU has elaborated a Model Doping Control Policy for National Governing Bodies (NGB).

L’unité antidopage (ADU) a élaboré une stratégie-modèle de contrôle antidopage (Model Doping Control Policy) à l’adresse des autorités sportives nationales (National Governing Bodies – NGB –).

15. Si composite electrode with li metal doping for advanced lithium-ion battery

Électrode composite au si avec dopage au li métallique pour batterie à ion lithium améliorée

16. A Cerium-Doped Lutetium Oxyorthosilicate scintillator boule having a graded decay time.

Cette invention se rapporte à une boule de scintillateur à base d'oxyortosilicate de lutécium dopé au cérium ayant une durée de décroissance échelonnée.

17. Selective functionalization of doped group iv surfaces using lewis acid / lewis base interaction

Fonctionnalisation sélective de surfaces dopées de groupe iv à l’aide d’une interaction entre de l’acide de lewis et une base de lewis

18. — photocatalytic activity ≤ 10 % compared to corresponding non-coated or non-doped reference,

— activité photocatalytique ≤ 10 % par rapport à la référence correspondante non enrobée ou non dopée,

19. An activator, for example Eu2+ or Mn2+, is doped into the base lattice.

Dans le réseau de base, un activateur, comme par exemple Eu2+ ou Mn2+, est dopé.

20. Methods of identifying high neutron capture cross section doped proppant in induced subterranean formation fractures

Procédés d'identification d'agents de soutènement dopés à section efficace de capture neutronique élevée dans des fractures de formations souterraines induites

21. Rare earth doped double clad optical fiber with plurality of air holes and stress rods

Fibre optique à double enrobage dopée aux terres rares et présentant plusieurs trous d'air et tiges de contrainte

22. The intermediate structure is highly doped and has a composition with a desired low electron affinity.

La structure intermédiaire est fortement dopée et présente une composition ayant une faible affinité électronique souhaitée.

23. The net positive charge of the conducting polymer can be systematically adjusted by simply varying its doping level.

On peut régler systématiquement la charge positive nette du polymère conducteur tout simplement en modifiant sa concentration de dopage.

24. Thereby, the new precursors may allow the deposition and doping of GaAs/AlGaAs and related semiconductor alloys.

Ces nouveaux systèmes peuvent permettre le dépôt et le dopage des GaAs/AlGaAs et des alliages pour semi-conducteurs correspondants.

25. The ADC only has the power to conduct doping controls on athletes belonging to these sports federations.

Le CAD peut uniquement effectuer des contrôles antidopage auprès des athlètes qui font partie de ces fédérations.

26. An electroabsorption modulator comprises an absorption layer (1) between two layers of n-doped semiconductor (2, 5).

L’invention concerne un modulateur d’absorption d’électrons comprenant une couche d’absorption (1) entre deux couches de semi-conducteur dopé n (2, 5).

27. The material of the resistor body is doped with dopants of both acceptor type and donor type.

Le matériau constitutif du corps de résistance est dopé à l'aide de dopants des types accepteurs et donneurs.

28. The polymers are stable in the air in a dope-free state and shows distinct electrochromism.

Lesdits polymères sont stables dans l'air dans un état sans dopant et présentent un électrochromisme distinct.

29. The semiconductive semiconductor-metal alloy layers may be doped, for example with boron, phosphorus, and/or arsenic.

Les couches semi-conductrices d'alliage métal/semi-conducteur peuvent être dopées, par exemple, au bore, au phosphore et/ou à l'arsenic.

30. The second layer includes a doped M'- titanate based perovskite, wherein M' is an alkaline earth metal.

La deuxième couche comporte une perowskite dopée à base de M'-titanate, M' étant un métal alcalino-terreux.

31. This novelty features very high permittivity and coupling, while dielectric and mechanical losses have been reduced by doping.

Cette innovation se caractérise par une permittivité et un couplage très élevés, tandis que les pertes diélectriques et mécaniques ont été réduites par dopage.

32. The harmonisation of regulations, doping lists, controls and disciplinary procedures has advanced substantially over the past few years.

Elle a fait de gros progrès ces dernières années pour harmoniser les règlements, les listes des substances dopantes, les contrôles et les procédures disciplinaires.

33. For AC welding of Aluminum with older sine wave type machines use pure tungsten or Zirconium doped tungsten.

Pour souder de l'aluminium au moyen d'un poste de soudage plus ancien fonctionnant en courant alternatif à onde sinusoïdale, utilisez des électrodes de tungstène à l'état pur ou dopées de zirconium.

34. It's like, everybody was doing acid and Quaaludes and smoking dope, and the free sex and swinging.

C'est comme, tout le monde prenait de l'acide et des Quaaludes ( méthaqualone, un sédatif dont les effets sont similaires à ceux des barbituriques ) et fumait de la dope, et pratiquait le sexe libre et l'échangisme.

35. Preparation of firmly-anchored photocatalitically-active titanium dioxide coating films with non-gelled organic-doped precursors

Preparation de films de revetement de dioxyde de titane photocatalytique, a ancrage ferme, a l'aide de precurseurs non gelifies a dopage organique

36. The 5d-4ftransition of the rare earth doped anisotropic crystal comprises an absorption band extending over several nm.

La transition 5d-4f du cristal anisotrope dopé en terre rare comprend une bande d'absorption s'étendant sur plusieurs nm.

37. In the analysis, bandgap narrowing, carrier degeneracy, and nonparabolicity of the band structure are considered as heavy doping effects.

Dans l'analyse, le rétrécissement d'interbande, la dégénérescence des porteurs et la non-parabolicité de la structure de bande sont considérés comme des effets du fort dopage.

38. The method includes forming an acceptor-doped material having Zn0 under reducing conditions, thereby insuring a high donor density.

Ce procédé consiste à former un matériau dopé en accepteurs dont le Zn0 se trouve sous conditions de réduction, ce qui favorise une densité élevée de donneurs.

39. At low doping levels, recombinations involving impurity states provide a measurement of the zinc-acceptor binding energy in the Ga0.85In0.15As alloy.

À bas dopage, des recombinaisons impliquant des niveaux d'impuretés permettent de déterminer l'énergie de liaison du zinc dans l'alliage Ga0.85In0.15As. À fort dopage, les niveaux discrets s'élargissent en une bande d'impuretés.

40. The active optical waveguide is doped with ions of transition metals or metals from the groups of Lanthanides or Actinides.

Le guide d'ondes optiques actif est dopé au moyen d'ions de métaux de transition ou de métaux du groupe des lanthanides ou des actinides.

41. A surface acoustic wave based CO2 gas sensor that utilizes zeolites or transition metals doped zeolites as a sensing layer.

L'invention concerne un capteur de gaz CO2 à base d'onde acoustique de surface qui utilise des zéolites ou des zéolites dopées par des métaux de transition comme couche de détection.

42. The surface photoeffect in a heavily doped semiconductor was investigated using the influences of band-gap narrowing and carrier degeneracy.

On a étudié l'effet photoélectrique de surface dans un semi-conducteur fortement dopé, en utilisant les influences du rétrécissement de la bande interdite et de la dégénérescence des porteurs.

43. ADAMS training and adoption is progressing rapidly, with a vision of bringing 85 ADOs and all anti-doping laboratories online in 2006.

Au cours des prochains mois, davantage de partenaires seront formés à l’utilisation d’ADAMS. L’objectif est que 85 organisations antidopage et tous les laboratoires antidopage soient en ligne en 2006.

44. The rare earth doped optical fiber has a length of 10 m to 50m and is coiled with abend radius of less than 40mm.

La longueur de la fibre optique dopée aux terres rares est comprise entre 10 m et 50m et la fibre est enroulée avec rayon de courbure inférieur à 40mm.

45. The present invention relates to an organic solar cell comprising new truxequinone derivatives used as acceptor, electron transport material, and doped electron transport materials.

La présente invention concerne une cellule solaire organique comprenant de nouveaux dérivés de truxequinone utilisés comme accepteur, matériel de transport d'électron, et matériaux de transport d'électron dopés.

46. This new method of laser separation is based on using the selective doping of the substrate and epitaxial film with fine donor and acceptor impurities.

Ce nouveau procédé de séparation par laser est basé sur l'utilisation d'un dopage sélectif du substrat et du film épitaxial avec de fines impuretés donneuses et acceptrices.

47. The sensing section can be made active by at least partly doping it with rare earth ions and forming a laser medium, or an active component.

Cette partie de détection peut être activée par un dopage au moins partiel avec des ions des terres rares et par formation d'un milieu laser ou avec un composant actif.

48. Almost all layers of the super=lattice layer which is close to the active region are intentionally not doped with silicon, thereby reducing leakage current.

Presque toutes les couches de la couche de super-réseau, qui est proche de la région active, ne sont intentionnellement pas dopées au silicium, de façon à réduire ainsi le courant de fuite.

49. Also, the specimens of the acceptor-doped material are annealed at intermediate temperatures under oxidizing conditions so as to remove intrinsic donors and activate impurity acceptors.

Les échantillons de matériau dopé en accepteurs sont aussi recuits à des températures intermédiaires, sous conditions oxydantes, de façon à éliminer des donneurs intrinsèques et d'activer des accepteurs.

50. When electron-donating elements, such as alkali metals, are doped into these voids, C70 converts into a conductor with conductivity up to around 2 S/cm.

Lorsque des éléments donneurs d'électrons tels que des métaux alcalins sont introduits dans ces cavités, le C70 acquiert une conductivité pouvant atteindre de l'ordre de 2 S·cm-1.

51. The silicon layer (B) consists of polycrystalline or amorphus silicon which is doped by semiconducting dopants of the p- or n-type, preferably in a concentration higher than 10?

La couche de silicium (B) est constituée de silicium polycristallin ou amorphe dopé par des agents de dopage semi-conducteurs de type p- ou n-, de préféfence à une concentration supérieure à 10?

52. In alternative embodiments, novel low breakdown voltage devices are fabricated in a similar fashion as MOS devices but with doping levels such that the inherent bipolar device has a low breakdown voltage characteristic.

Dans d'autres modes de réalisation, de nouveaux dispositifs possédant une tension de claquage peu élevée sont fabriqués de la même façon que des dispositifs MOS mais sans niveaux de dopage, de sorte que le dispositif bipolaire inhérent possède une caractéristique de tension de claquage basse.

53. The valence band potential drop owing to Ge grading is shown to provide sufficient isolation between the free carriers in the channel and the acceptor atoms in the δ-doped layer underneath.

On montre que la chute du potentiel de la bande de valence due à l'échelonnage de Ge assure une isolation suffisante entre les porteurs libres dans le canal et les atomes accepteurs de la couche dopée δ sous-jacente.

54. The resulting doped adsorbent enhances the operation of adiabatic pressure swing adsorption processes by decreasing the cyclic temperature change in the adsorbent bed during each processing cycle of the process.

L'adsorbant dopé résultant améliore le déroulement de processus d'adsorption par oscillation adiabatique de la pression, en réduisant la variation cyclique de température dans le lit adsorbant pendant chaque cycle de traitement du processus.

55. The dopant profile of a transistor may be obtained on the basis of an in situ doped strain inducing semiconductor alloy wherein a graded dopant concentration may be established along the height direction.

Selon la présente invention, le profil de dopant d'un transistor peut être obtenu sur la base d'un alliage semi-conducteur induisant une contrainte, dopé in situ, une concentration graduelle de dopant pouvant être établie dans le sens de la hauteur.

56. These assignments indicate that the principal donor introduced into the samples was the Li–O complex, and that the principal acceptor in the In-doped samples was the In–X centre.

Ces assignations indiquent que le principal donneur introduit dans les échantillons était le complexe Li–O; et que le principal accepteur dans les échantillons dopés avec In était le centre In–X.

57. UV-blue excitable green luminescent material consisting of a Eu-doped oxynitride host lattice with general composition MSi2O2N2, wherein M is at least one of an alkaline earth metal chosen from the group Ca, Sr, Ba.

Ce matériau luminescent vert excitable par un rayonnement UV-bleu est constitué d'un réseau hôte d'oxynitrure, dopé par Eu, de composition générale MSi2O2N2, M représentant au moins un métal alcalino-terreux choisi dans le groupe constitué par Ca, Sr ou Ba.

58. The resulting expertise serves as a reference for the ADC to either grant or deny application for product’s attestation confirming that the product concerned is suitable for use by registered athletes and can bear the label "Approved by the Anti-Doping Committee of the Czech Republic". . Information Service Within the framework of its promotional activity, the ADC publishes the list of approved products that can bear the label "Approved by the Anti-Doping Committee of the Czech Republic" via its website.

Les résultats servent de référence à l’ADC pour accorder ou refuser la demande d’attestation confirmant que le produit peut être consommé par des athlètes affiliés à une fédération et peut porter la mention «Approuvé par la Commission antidopage de la République tchèque». . Service d’information. Dans le cadre de son activité promotionnelle, l’ADC publie sur son site Web la liste des produits autorisés à porter la mention «Approuvé par le Comité antidopage de la République tchèque».

59. UV-blue excitable luminescent material consisting of a Eu-doped oxynitride host lattice with general composition MAl2-xSixO4-xNx, wherein M is at least one of an alkaline earth metal chosen from the group Ca, Sr, Ba.

La composition générale de cette matière est MAl2-xSixO4-xNx, dans laquelle M représente au moins un métal alcalino-terreux sélectionné dans le groupe Ca, Sr, Ba.

60. P- type conductivity and high concentration of holes in electrode materials may be provided by thermal, ionic or electrochemical doping by acceptor impurities; irradiating by high-energy fast particles or quantums; or chemical, electrochemical and/or thermal treatment.

La conductivité de type P et la concentration étroite de perçages dans les matériaux d'électrode peuvent être obtenues par dopage thermique, ionique ou électrochimique par des impuretés accepteurs; irradiation par des particules d'énergie très rapides ou des quantums; ou traitement chimique, électrochimique et/ou thermique.

61. Bias ramping and bias ramp rate adjusting may be performed to achieve a desired dopant profile so that shallow and abrupt junctions in vertical and lateral directions are realized that are critical to device scaling in plasma doping systems.

Il est possible de réaliser une croissance linéaire de polarisation et un ajustement de la vitesse à croissance linéaire de polarisation pour obtenir un profil d'impuretés désiré de façon à réaliser des jonctions peu profondes et abruptes dans des sens verticaux et latéraux qui sont critiques par rapport à la mise à l'échelle du dispositif dans des systèmes de dopage par plasma.

62. Correlation of the above results with our previously published data on n type zinc doped samples indicates that the electron trap influencing the photodecay times in n samples is a single acceptor center having a capture cross section of approximately 10−16 cm2.

La corrélation des résultats mentionnés ci-dessus avec ceux que nous avons déjà publiés pour des échantillons de type n dopés au zinc indique que le piège à électrons qui influence la décroissance de la photoconductivité dans des échantillons de type n est un seul centre accepteur ayant une section efficace de capture approximativement égale à 10−16 cm2.

63. Group III-V compounds and alloys, such as GaAs and GaP, are isoelectronically co-doped with, for example, N and Bi, to customize solar cells, thermophotovoltaic cells, light emitting diodes, photodetectors, and lasers on GaP, InP, GaAs, Ge, and Si substrates.

Des composés et des alliages du groupe III-V, tels que GaAs et GaP, sont isoélectroniquement co-dopés avec, par exemple, N et Bi, afin de conférer des propriétés particulières à des piles solaires, des piles thermophotovoltaïques, des diodes électroluminescentes, des photodétecteurs, et des lasers sur des substrats GaP, InP, GaAs, Ge, et Si.

64. In the event of testing, the athlete had to declare the use of the substance on the doping control form and, in the event of an AAF, the medical file had to be sent immediately to the ADO in charge of results management, following which the file would be sent to a panel of three physicians, who would review the entire case and determine whether or not it was acceptable.

En cas de contrôle, le sportif doit déclarer l’utilisation de la substance sur le formulaire de contrôle du dopage et, en cas de résultat d’analyse anormal, le dossier médical doit être envoyé directement à l’OAD chargée de la gestion des résultats, à la suite de quoi le dossier sera envoyé à un comité de trois médecins qui examinera le cas et décidera s’il est acceptable ou non.

65. On occasion of the ratification of the additional protocol to the ADC, Switzerland will undertake to recognise and accept controls carried out in other countries that have signed the ADC and its additional protocol. c) to clarify and harmonise regulations on eligibility to take part in sports events which will include anti-doping criteria; Eligibility to take part in national and international competitions is governed by specific regulations within the sport associations and is usually bound to the possession of a "competition license".

En signant le protocole additionnel à la Convention contre le dopage, la Suisse s’engage toutefois à reconnaître l’organisation de tels tests dans des pays signataires de la Convention et du Protocole additionnel. c) clarifier et harmoniser les règlements concernant l’admissibilité aux épreuves sportives qui incluent les critères antidopage; La participation aux compétitions nationales et internationales est réglementée par les différentes organisations sportives et subordonnée à la possession d’une licence.